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Perlast Helios G7HA CNT

Perlast Helios G7HAPerlast® Helios G7HA 是一種高潔淨度全氟彈性體 (FFKM),在高達 310°C 的高溫應用中,可提供極佳的物理及機械特性,同時抵抗電漿的能力也十分出色。

這種70 A Shore FFKM是純有機配方,極低金屬含量的特性,可有效降低晶圓製造過程中的金屬離子污染風險,提高生產良率。

Perlast® Helios G7HA – 該系列中的第一種材料 - 針對目前市場上領先的密封材料進行了十分嚴格的基準測試,以確保其材料特性符合半導體行業各種不同的製程需求。

測試結果顯示,在持續高達 310°C 的溫度下具有出色的密封效能。G7HA超越了目前競爭對手的材料,在密封的真空腔體內更可有效抵禦各種電漿延長材料的使用壽命,尤其在高濃度的氟自由基電漿體環境下,更可以突顯其材料特性。。

  • 在惡劣的電漿環境中表現優異

    Perlast® Helios G7HA 已在一系列電漿環境 (RPS NF3、RIE NF3、CCP NH3、RIE SF6、RIE O2 和 CCP O2)中進行了廣泛測試。在每種環境中,新的 G7HA 相比主要競爭對手的侵蝕率明顯較低,尤其在 NF3 更是低了 27%。

    Perlast Helios G7HA NF3 Plasma Data

    圖1:RIE NF3 電漿暴露,6 小時後材質重量損失百分比。

  • 比其他 FFKM 密封件更低的金屬含量

    Perlast® Helios G7HA 是一種純有機材料,分析顯示與同等 FFKM 和 FKM 密封材料相比,金屬含量以及雜質污染風險相對低。極低的金屬含量以及雜質污染風險是減少製程污染機率的關鍵、能降低產線停機時間提高產量。

  • Perlast Helios G7HA 消除了純度和效能之間的折衷

    以前在半導體的應用,必須在密封材質的純度和高效能折衷 - 特別是在純度與抗電漿性能之間。Perlast® Helios G7HA 為彈性體創新的突破,行業中首批能同時擁有高純度和抗電漿以及廣泛化學的特性。

  • 典型應用

    開發用於各種半導體應用。適用於乾濕半導體製程,包括:

    • Etch
    • Strip
    • Clean
    • LPCVD、HDPCVD、PECVD、SACVD、ALD、PVD、MDP、EPI
  • 典型密封類型

    Perlast®Helios G7HA 材料可以塑造成動態和靜態密封產品,包括隔離閥、腔體 O 型圈和進氣口密封件。

Dielectric Etch

Perlast Helios G7HA Spider Diagram

上面的蜘蛛圖是 Perlast®Helios G7HA 材料基於Dielectric Etch應用,與相關行業競爭對手效能相比的圖形概觀。

銷售通路

Yao Cheng Plus Technology Co., Ltd.
5F.-1, No.63, Chenggong 5th St., Zhubei City, Hsinchu County 30264, Taiwan
Tel: +886 3 6588390

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