Perlast Helios G7HA CNT

Perlast Helios G7HAPerlast® Helios G7HA 是一種高潔淨度全氟彈性體 (FFKM),在高達 310°C 的高溫應用中,可提供出色的長期機械效能和出色的抗等離子效能半導體

這種70 A Shore FFKM是完全有機配方,提供極低的微量金屬含量,可提高產量和減少過程污染。

Perlast® Helios G7HA – 該系列中的第一種材料 - 針對目前市場上領先的密封材料進行了嚴格的基準測試,以確定其材料特性。

測試結果顯示,在高達 310°C 的溫度下具有出色的密封效能。新的彈性體等級也超越了競爭對手的材料,可抵禦侵蝕性等離子體,包括高濃度的氟自由基等離子體。

  • 在惡劣的等離子環境中表現優異

    Perlast® Helios G7HA 已在一系列等離子環境 (RPS NF3、RIE NF3、CCP NH3、RIE SF6、RIE O2 和 CCP O2)中進行了廣泛測試。在每種環境中,新的 G7HA 等級相比主要競爭對手,其等離子侵蝕率顯著降低,並且 NF3 降低了 27%。

    Perlast Helios G7HA NF3 Plasma Data

    圖1:RIE NF3 等離子體暴露,6 小時後彈性體重量損失百分比。

  • 比其他 FFKM 密封件更低的微量金屬

    Perlast® Helios G7HA 是一種完全有機材料,分析顯示,與同等 FFKM 和 FKM 密封材料相比,微量金屬污染物生成量極低,顆粒生成量非常低。低痕量金屬和低顆粒產生是減少製程污染、顯著提高產量和減少操作停機時間的關鍵。

  • Perlast Helios G7HA 消除了純度和效能之間的折衷

    以前在半導體密封市場中,必須在密封系統中選擇密封純度和高效能 - 特別是在純度與等離子體電阻之間。Perlast® Helios G7HA 是首批在彈性體和抗侵蝕性等離子體和化學媒體上提供可靠結果的彈性體創新產品之一。

  • 典型應用

    開發用於各種半導體應用。適用於乾濕半導體製程,包括:

    • 蝕刻
    • 脫墨
    • 正在清潔
    • LPCVD、HDPCVD、PECVD、SACVD、ALD、PVD、MDP、EPI
  • 典型密封類型

    Perlast® Helios G7HA 材料可以模塑成動態和靜態密封產品,包括隔離閥、腔室 O 型圈和進氣口密封件。

Dielectric Etch

Perlast Helios G7HA Spider Diagram

上面的蜘蛛圖是 Perlast®HeliosG7HA 材料與基於Dielectric Etch應用的相關行業競爭對手相比的效能特徵的圖形概觀。

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