Perlast Helios G7HA CNT
Perlast® Helios G7HA 是一種高潔淨度全氟彈性體 (FFKM)，在高達 310°C 的高溫應用中，可提供極佳的物理及機械特性，同時抵抗電漿的能力也十分出色。
這種70 A Shore FFKM是純有機配方，極低金屬含量的特性，可有效降低晶圓製造過程中的金屬離子污染風險，提高生產良率。
Perlast® Helios G7HA – 該系列中的第一種材料 - 針對目前市場上領先的密封材料進行了十分嚴格的基準測試，以確保其材料特性符合半導體行業各種不同的製程需求。
測試結果顯示，在持續高達 310°C 的溫度下具有出色的密封效能。G7HA超越了目前競爭對手的材料，在密封的真空腔體內更可有效抵禦各種電漿延長材料的使用壽命，尤其在高濃度的氟自由基電漿體環境下，更可以突顯其材料特性。。
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在惡劣的電漿環境中表現優異
Perlast® Helios G7HA 已在一系列電漿環境 (RPS NF3、RIE NF3、CCP NH3、RIE SF6、RIE O2 和 CCP O2）中進行了廣泛測試。在每種環境中，新的 G7HA 相比主要競爭對手的侵蝕率明顯較低，尤其在 NF3 更是低了 27%。
圖1：RIE NF3 電漿暴露，6 小時後材質重量損失百分比。
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比其他 FFKM 密封件更低的金屬含量
Perlast® Helios G7HA 是一種純有機材料，分析顯示與同等 FFKM 和 FKM 密封材料相比，金屬含量以及雜質污染風險相對低。極低的金屬含量以及雜質污染風險是減少製程污染機率的關鍵、能降低產線停機時間提高產量。
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Perlast Helios G7HA 消除了純度和效能之間的折衷
以前在半導體的應用，必須在密封材質的純度和高效能折衷 - 特別是在純度與抗電漿性能之間。Perlast® Helios G7HA 為彈性體創新的突破，行業中首批能同時擁有高純度和抗電漿以及廣泛化學的特性。
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典型應用
開發用於各種半導體應用。適用於乾濕半導體製程，包括：
- Etch
- Strip
- Clean
- LPCVD、HDPCVD、PECVD、SACVD、ALD、PVD、MDP、EPI
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典型密封類型
Perlast®Helios G7HA 材料可以塑造成動態和靜態密封產品，包括隔離閥、腔體 O 型圈和進氣口密封件。
Dielectric Etch
上面的蜘蛛圖是 Perlast®Helios G7HA 材料基於Dielectric Etch應用，與相關行業競爭對手效能相比的圖形概觀。
銷售通路
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