Perlast Helios G7HA CNS
Perlast® Helios G7HA 是一种高洁净度全氟弹性体 (FFKM)，在高达 310°C 的高温应用中，可提供极佳的物理及机械特性，同时抵抗等离子的能力也十分出色
这种70 A Shore FFKM是纯有机配方，极低金属含量的特性，可有效降低晶圆制造过程中的金属离子污染风险，提高生产良率。
Perlast® Helios G7HA – 该系列中的第一种材料 - 针对目前市场上领先的密封材料进行了十分严格的基准测试，以确保其材料特性符合半导体行业各种不同的制程需求。
测试结果显示，在持续高达 310°C 的温度下具有出色的密封效能。G7HA超越了目前竞争对手的材料，在密封的真空腔体内更可有效抵御各种等离子体延长材料的使用寿命，尤其在高浓度的氟自由基等离子体环境下，更可以突显其材料特性。
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在恶劣的等离子环境中表现优异
Perlast® Helios G7HA 已在一系列等离子环境 (RPS NF3、RIE NF3、CCP NH3、RIE SF6、RIE O2 和 CCP O2）中进行了广泛测试。在每种环境中，新的 G7HA 相比主要竞争对手的侵蚀率明显较低，尤其在 NF3 更是低了 27%。
图1：RIE NF3 等离子体暴露，6 小时后材质重量损失百分比。
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比其他 FFKM 密封件更低的金属含量
Perlast® Helios G7HA 是一种纯有机材料，分析显示与同等 FFKM 和 FKM 密封材料相比，金属含量以及杂质污染风相对低。极低的金属含量以及杂质污染风险是减少制程污染机率的关键，能降低产线停机时间提高产量。
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Perlast Helios G7HA 消除了纯度和性能之间的折衷
以前在半导体的应用，必须在密封材质的纯度和高效能折衷 - 特别是在纯度与抗等离子体性能之间。Perlast® Helios G7HA 为弹性体创新的突破，行业中首批能同时拥有高纯度和抗电浆以及广泛化学的特性
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典型应用
开发用于各种半导体应用。适用于干湿半导体工艺，包括：
- Etch
- Strip
- Clean
- LPCVD、HDPCVD、PECVD、SACVD、ALD、PVD、MDP、EPI
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典型密封类型
Perlast®HeliosG7HA 材料可以塑造成动态和静态密封产品，包括隔离阀、腔室 O 型圈和进气口密封件。
Dielectric Etch
上面的蜘蛛图是 Perlast®Helios G7HA 材料基于Dielectric Etch应用，与相关行业竞争对手效能相比的图形概观。
销售通路
Standard International Trading (Shanghai) Co., Ltd.
Room D, 22F, No.807 Zhao Jia Bang Rd, Xu Hui District, Shanghai, China
Tel: +86 21 61201980
