Perlast Helios G7HA CNS

Perlast Helios G7HAPerlast® Helios G7HA 是一种高纯度全氟弹性体 (FFKM),在高达 310°C 的高温应用中,可提供出色的长期机械性能和出色的抗等离子性能半导体

这种70 A Shore FFKM是完全有机配方,提供极低的微量金属含量,可提高产量和减少过程污染。

Perlast® Helios G7HA – 该系列中的第一种材料 - 针对目前市场上领先的密封材料进行了严格的基准测试,以确定其材料特性。

测试结果显示,在高达 310°C 的温度下具有出色的密封性能。新的弹性体等级也超越了竞争对手的材料,可抵御侵蚀性等离子体,包括高浓度的氟自由基等离子体。

  • 在恶劣的等离子环境中表现优异

    Perlast® Helios G7HA 已在一系列等离子环境 (RPS NF3、RIE NF3、CCP NH3、RIE SF6、RIE O2 和 CCP O2)中进行了广泛测试。在每种环境中,新的 G7HA 等级相比主要竞争对手,其等离子侵蚀率显著降低,并且 NF3 降低了 27%。

    Perlast Helios G7HA NF3 Plasma Data

    图1:RIE NF3 等离子体暴露,6 小时后弹性体重量损失百分比。

  • 比其他 FFKM 密封件更低的微量金属

    Perlast® Helios G7HA 是一种完全有机材料,分析显示,与同等 FFKM 和 FKM 密封材料相比,微量金属污染物生成量极低,颗粒生成量非常低。低痕量金属和低颗粒产生是减少工艺污染、显著提高产量和减少操作停机时间的关键。

  • Perlast Helios G7HA 消除了纯度和性能之间的折衷

    以前在半导体密封市场中,必须在密封系统中选择密封纯度和高性能 - 特别是在纯度与等离子体电阻之间。Perlast® Helios G7HA 是首批在弹性体和抗侵蚀性等离子体和化学介质上提供可靠结果的弹性体创新产品之一。

  • 典型应用

    开发用于各种半导体应用。适用于干湿半导体工艺,包括:

    • 蚀刻
    • 脱墨
    • 正在清洁
    • LPCVD、HDPCVD、PECVD、SACVD、ALD、PVD、MDP、EPI
  • 典型密封类型

    Perlast® Helios G7HA 材料可以模塑成动态和静态密封产品,包括隔离阀、腔室 O 型圈和进气口密封件。

Dielectric Etch

Perlast Helios G7HA Spider Diagram

上面的蜘蛛图是 Perlast®HeliosG7HA 材料与基于Dielectric Etch应用的相关行业竞争对手相比的性能特征的图形概述。

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